收藏本站
Typical Characteristics
20
V GS = 4.5V
2.5V
2.5
16
3.0V
2.0V
2
12
1.5
V GS = 2.0V
8
4
0
1.5V
1
0.5
2.5V
3.0V
4.5V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.5
1.4
1.3
I D = 6.2A
V GS = 4.5V
0.08
0.06
I D = 6.2A
1.2
T J = 125 C
1.1
1
0.04
o
25 C
0.9
0.8
0.7
0.02
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T J = -55 C
25 C
125 C
20
V DS = 5V
o
o
o
100
10
V GS = 0
15
T J = 125 C
1
o
25 C
10
0.1
o
-55 C
o
0.01
5
0.001
0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC637AN, Rev. C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDC637BNZ MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
FDC638APZ MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
FDC638P MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
FDC6392S MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
FDC6401N MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
FDC640P_F095 MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
FDC6420C MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
FDC642P MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
相关代理商/技术参数
FDC637AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 6.2A, SUPER SOT-6
FDC637AN_F095 功能描述:MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC637BNZ 功能描述:MOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC638 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC638APZ 功能描述:MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC638H 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
FDC638P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC638P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6